APT70GR65B2SCD30
OMRON AUTOMATION & SAFETYΟι εικόνες είναι μόνο για αναφορά.
Δείτε τις προδιαγραφές προϊόντων για τα στοιχεία του προϊόντος.
Αγορά APT70GR65B2SCD30 με εμπιστοσύνη από την Components-World.HK, 1 έτος εγγύηση
Δείτε τις προδιαγραφές προϊόντων για τα στοιχεία του προϊόντος.
Αγορά APT70GR65B2SCD30 με εμπιστοσύνη από την Components-World.HK, 1 έτος εγγύηση
Ζητήστε προσφορά
| Αριθμός μέρος | APT70GR65B2SCD30 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Microsemi |
| Περιγραφή | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Τιμή Αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ) | Get a quote | ||||
- Παράμετρος προϊόντος
Product parameter
| Αριθμός μέρος | APT70GR65B2SCD30 | Κατασκευαστής | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 5487 pcs | Φύλλο δεδομένων | |
| Κατηγορία | Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών | Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A | Test Condition | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) στους 25 ° C | 19ns/170ns | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | T-MAX™ [B2] |
| Σειρά | * | Ισχύς - Max | 595W |
| Συσκευασία | Bulk | Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Τύπος | NPT | πύλη Χρέωση | 305nC |
| Λεπτομερής περιγραφή | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] | Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM) | 260A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 134A |
- Σχετικά προϊόντα
- Σχετικά νέα
Σχετικά προϊόντα
- Μέρος#:
APT75DF170HJ - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
MOD DIODE 1700V SOT-227 - Σε απόθεμα:
3320
- Μέρος#:
APT68GA60B2D40 - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - Σε απόθεμα:
9887
- Μέρος#:
APT75DQ60BG - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 - Σε απόθεμα:
36120
- Μέρος#:
APT70GR120B2 - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 1200V 160A 961W TO247 - Σε απόθεμα:
8599
- Μέρος#:
APT75DQ100BG - Κατασκευαστές:
Microsemi Corporation - Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 - Σε απόθεμα:
23286
- Μέρος#:
APT75DQ120BG - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 - Σε απόθεμα:
30592
- Μέρος#:
APT70GR65B - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 650V 134A 595W TO-247 - Σε απόθεμα:
14370
- Μέρος#:
APT70GR120JD60 - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 1200V 112A 543W SOT227 - Σε απόθεμα:
3408
- Μέρος#:
APT70GR65B2DU40 - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Σε απόθεμα:
10286
- Μέρος#:
APT75DL120HJ - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
MOD DIODE 1200V SOT-227 - Σε απόθεμα:
4864
- Μέρος#:
APT68GA60LD40 - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 600V 121A 520W TO-264 - Σε απόθεμα:
8528
- Μέρος#:
APT70GR120J - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 1200V 112A 543W SOT227 - Σε απόθεμα:
5019
- Μέρος#:
APT68GA60B - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - Σε απόθεμα:
14870
- Μέρος#:
APT75F50B2 - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 - Σε απόθεμα:
5270
- Μέρος#:
APT70GR120L - Κατασκευαστές:
Microsemi - Περιγραφή:
IGBT 1200V 160A 961W TO264 - Σε απόθεμα:
11090