SISS23DN-T1-GE3
OMRON AUTOMATION & SAFETYΟι εικόνες είναι μόνο για αναφορά.
Δείτε τις προδιαγραφές προϊόντων για τα στοιχεία του προϊόντος.
Αγορά SISS23DN-T1-GE3 με εμπιστοσύνη από την Components-World.HK, 1 έτος εγγύηση
Δείτε τις προδιαγραφές προϊόντων για τα στοιχεία του προϊόντος.
Αγορά SISS23DN-T1-GE3 με εμπιστοσύνη από την Components-World.HK, 1 έτος εγγύηση
Ζητήστε προσφορά
| Αριθμός μέρος | SISS23DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Περιγραφή | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Τιμή Αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.372 | $0.325 | $0.25 | $0.186 | $0.148 | |
- Παράμετρος προϊόντος
- Φύλλο δεδομένων
Product parameter
| Αριθμός μέρος | SISS23DN-T1-GE3 | Κατασκευαστής | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 145542 pcs | Φύλλο δεδομένων | SISS23DN |
| Κατηγορία | Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών | Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V | Έκλυση ενέργειας (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Συσκευασία | Cut Tape (CT) | Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
| Αλλα ονόματα | SISS23DN-T1-GE3CT | Θερμοκρασία λειτουργίας | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount | Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 8840pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 300nC @ 10V | FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 20V | Λεπτομερής περιγραφή | P-Channel 20V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
- Σχετικά προϊόντα
- Σχετικά νέα
Σχετικά προϊόντα
- Μέρος#:
SISS70DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CH 125V - Σε απόθεμα:
104518
- Μέρος#:
SISS40DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 - Σε απόθεμα:
97169
- Μέρος#:
SISS02DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212- - Σε απόθεμα:
75169
- Μέρος#:
SISS65DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S - Σε απόθεμα:
125360
- Μέρος#:
SISS27DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S - Σε απόθεμα:
163935
- Μέρος#:
SISNAP915DK - Κατασκευαστές:
Energy Micro (Silicon Labs) - Περιγραφή:
RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT - Σε απόθεμα:
4111
- Μέρος#:
SISS26DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S - Σε απόθεμα:
82015
- Μέρος#:
SISH410DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH - Σε απόθεμα:
112729
- Μέρος#:
SISS42DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 - Σε απόθεμα:
77858
- Μέρος#:
SISH617DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- - Σε απόθεμα:
127956
- Μέρος#:
SISH434DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH - Σε απόθεμα:
102762
- Μέρος#:
SISS27ADN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212 - Σε απόθεμα:
131291
- Μέρος#:
SISS67DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- - Σε απόθεμα:
98160
- Μέρος#:
SISS04DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- - Σε απόθεμα:
82497
- Μέρος#:
SISS12DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212- - Σε απόθεμα:
101823
- Μέρος#:
SISNAP915EK - Κατασκευαστές:
Energy Micro (Silicon Labs) - Περιγραφή:
RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA - Σε απόθεμα:
4252
- Μέρος#:
SISS28DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212 - Σε απόθεμα:
147641
- Μέρος#:
SISH402DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- - Σε απόθεμα:
119231
- Μέρος#:
SISS64DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S - Σε απόθεμα:
95298
- Μέρος#:
SISS10DN-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S - Σε απόθεμα:
114107