SI9926CDY-T1-GE3
OMRON AUTOMATION & SAFETYΟι εικόνες είναι μόνο για αναφορά.
Δείτε τις προδιαγραφές προϊόντων για τα στοιχεία του προϊόντος.
Αγορά SI9926CDY-T1-GE3 με εμπιστοσύνη από την Components-World.HK, 1 έτος εγγύηση
Δείτε τις προδιαγραφές προϊόντων για τα στοιχεία του προϊόντος.
Αγορά SI9926CDY-T1-GE3 με εμπιστοσύνη από την Components-World.HK, 1 έτος εγγύηση
Ζητήστε προσφορά
| Αριθμός μέρος | SI9926CDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Περιγραφή | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Τιμή Αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.383 | $0.338 | $0.267 | $0.207 | $0.163 | |
- Παράμετρος προϊόντος
- Φύλλο δεδομένων
Product parameter
| Αριθμός μέρος | SI9926CDY-T1-GE3 | Κατασκευαστής | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 141843 pcs | Φύλλο δεδομένων | SI9926CDY |
| Κατηγορία | Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-SO | Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V | Ισχύς - Max | 3.1W |
| Συσκευασία | Cut Tape (CT) | Συσκευασία / υπόθεση | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα | SI9926CDY-T1-GE3CT | Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount | Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 27 Weeks | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V | Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| FET Τύπος | 2 N-Channel (Dual) | FET Χαρακτηριστικό | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 20V | Λεπτομερής περιγραφή | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 8A | Αριθμός μέρους βάσης | SI9926 |
- Σχετικά προϊόντα
- Σχετικά νέα
Σχετικά προϊόντα
- Μέρος#:
SI9926BDY-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
4703
- Μέρος#:
SI9910DJ-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP - Σε απόθεμα:
5449
- Μέρος#:
SI9912DY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC - Σε απόθεμα:
4712
- Μέρος#:
SI9910DY-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC - Σε απόθεμα:
4499
- Μέρος#:
SI9731DQ-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP - Σε απόθεμα:
6032
- Μέρος#:
SI9936BDY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
5188
- Μέρος#:
SI9912DY-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC - Σε απόθεμα:
4438
- Μέρος#:
SI9933CDY-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
236213
- Μέρος#:
SI9933BDY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
5384
- Μέρος#:
SI9936DY - Κατασκευαστές:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
5107
- Μέρος#:
SI9936BDY-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
5685
- Μέρος#:
SI9936DY,518 - Κατασκευαστές:
NXP Semiconductors / Freescale - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 - Σε απόθεμα:
5933
- Μέρος#:
SI9926BDY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
4450
- Μέρος#:
SI9910DY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC - Σε απόθεμα:
5740
- Μέρος#:
SI9934BDY-T1-GE3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC - Σε απόθεμα:
4368
- Μέρος#:
SI9933CDY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC - Σε απόθεμα:
197615
- Μέρος#:
SI9926CDY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
87889
- Μέρος#:
SI9913DY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC - Σε απόθεμα:
5495
- Μέρος#:
SI9934BDY-T1-E3 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC - Σε απόθεμα:
4534
- Μέρος#:
SI9945AEY-T1 - Κατασκευαστές:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC - Σε απόθεμα:
5934